Главная » 2010»Март»1 » Samsung начинает производство 40-нм чипов DDR3 емкостью 4 Гбит
13:56
Samsung начинает производство 40-нм чипов DDR3 емкостью 4 Гбит
Samsung начинает производство 40-нм чипов DDR3 емкостью 4 Гбит
Компания Samsung Electronics, занявшая по итогам 2009
года второе место в списке самых успешных IT-предприятий, объявила о
выпуске 40-нанометровых микросхем памяти DDR3 объемом 4 Гбит. Новые
высокоемкие чипы способны корректно функционировать на частотах до 1600
МГц при напряжении 1,5 или 1,35 В; более того, их первые партии уже
нашли применение в серверных модулях Registered DIMM на 16 и 32 ГБ, а
также в 8-гигабайтных планках SO-DIMM.
«Когда наша DDR3-память класса 40-нм была впервые представлена в
июле прошлого года, мы были далеко впереди конкурентов в области
разработки скоростных высокоемких модулей DDR3», – сказал Донг-Су Джун (Dong-Soo Jun),
исполнительный вице-президент по маркетингу памяти компании Samsung.
«Сейчас, всего за семь месяцев, мы ввели сверхэкономичную «Green
Memory» того же объема. В частности, в составе 16 ГБ планок она
потребляет на 35% меньше электропитания, тем самым отвечая ожиданиям
заказчиков».
Теперь, с анонсом энергоэффективных 4-гигабитных
микросхем DDR3, Samsung планирует практически полностью (90%) перевести
производство оперативной памяти на 40-нанометровый техпроцесс.
