| Меню сайта |
|
 |
| Категории новостей |
|
|
| Гороскопы |
|
|
| Мини-чат |
|
|
|
| Наш опрос |
|
|
| Статистика |
Онлайн всего: 1 Гостей: 1 Пользователей: 0 |
|
|
 |  |  |
| Главная » 2010 » Март » 1 » Samsung начинает производство 40-нм чипов DDR3 емкостью 4 Гбит
13:56 Samsung начинает производство 40-нм чипов DDR3 емкостью 4 Гбит |
Samsung начинает производство 40-нм чипов DDR3 емкостью 4 Гбит
Компания Samsung Electronics, занявшая по итогам 2009
года второе место в списке самых успешных IT-предприятий, объявила о
выпуске 40-нанометровых микросхем памяти DDR3 объемом 4 Гбит. Новые
высокоемкие чипы способны корректно функционировать на частотах до 1600
МГц при напряжении 1,5 или 1,35 В; более того, их первые партии уже
нашли применение в серверных модулях Registered DIMM на 16 и 32 ГБ, а
также в 8-гигабайтных планках SO-DIMM.
«Когда наша DDR3-память класса 40-нм была впервые представлена в
июле прошлого года, мы были далеко впереди конкурентов в области
разработки скоростных высокоемких модулей DDR3», – сказал Донг-Су Джун (Dong-Soo Jun),
исполнительный вице-президент по маркетингу памяти компании Samsung.
«Сейчас, всего за семь месяцев, мы ввели сверхэкономичную «Green
Memory» того же объема. В частности, в составе 16 ГБ планок она
потребляет на 35% меньше электропитания, тем самым отвечая ожиданиям
заказчиков».
Теперь, с анонсом энергоэффективных 4-гигабитных
микросхем DDR3, Samsung планирует практически полностью (90%) перевести
производство оперативной памяти на 40-нанометровый техпроцесс.
|
|
Категория: Новости |
Просмотров: 531 |
Добавил: Admin
| Рейтинг: 0.0/0 |
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи. [ Регистрация | Вход ] | |
 |  |  |
|
| Поиск |
|
|
| Форма входа |
|
|
| Календарь |
| « Март 2010 » |
| Пн |
Вт |
Ср |
Чт |
Пт |
Сб |
Вс |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | | 29 | 30 | 31 | |
|
| Архив записей |
|
|
 
|
