Главная » 2010»Март»1 » Intel: иммерсионная литография обеспечит переход на 11-нм
13:50
Intel: иммерсионная литография обеспечит переход на 11-нм
Intel: иммерсионная литография обеспечит переход на 11-нм
В рамках специализированной конференции LithoVision 2010 докладчик от Intel
Ян Бородовский (Yan Borodovsky) представил новый «литографический»
роадмап компании, преподнеся присутствующим приятный сюрприз:
используемая сегодня 193-нм иммерсионная литография будет актуальна не
только в производстве 22-нм и 16-нм микрочипов, но и обеспечит переход
на еще более совершенный 11-нанометровый техпроцесс.
Ранее представители Intel высказывали мнение, что вслед за 16-нм
нормой обязательно потребуется мощный технологический рывок для
преодоления существующих ограничений. Однако внедрение перспективной
EUVL (субмикронной ультрафиолетовой литографии) в очередной раз
откладывается: если прежде в Санта-Кларе рассчитывали задействовать ее
при выпуске 22-нм кремниевых чипов, то сейчас речь идет уже о
16-нанометровых кристаллах и внедрении примерно через 2 года.
Говоря
об исследованиях Intel в области фотолитографии, мы всегда держим в уме
применение тех или иных разработок в производстве микропроцессоров. Для
других крупных игроков рынка IT, занимающихся тиражированием менее
сложных интегральных схем, задача несколько упрощается. Например,
Samsung планирует начать практическое использование ULV-сканеров в
изготовлении NAND флеш-памяти «до 2012 года».
