Intel и Micron Technology объявили о запуске 25-нм технологии производства NAND-памяти
Intel и Micron Technology объявили о запуске 25-нанометровой (25-нм)
технологии производства NAND-памяти, которая позволяет снизить
производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных
популярных потребительских устройств – смартфонов, медиаплееров и
твердотельных накопителей.
Флэш-память NAND используется для
хранения пользовательских файлов в потребительской электронике. Данные
сохраняются и при выключенном электропитании. Уменьшение топологии
чипов NAND позволяет расширять сферу применения этого типа памяти.
25-нм технологический процесс является не только наименьшим при
изготовлении микросхем NAND, но и наиболее прогрессивным сегодня в
полупроводниковой индустрии в целом. Это достижение позволяет
увеличить количество музыкальных, видеофайлов и других данных,
хранящихся в карманных устройствах и персональных компьютерах. IM
Flash Technologies (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron по
выпуску флэш-памяти, приступило к производству модулей NAND емкостью 8
ГБ. Площадь решения составляет 167 мм2; оно помещается в отверстие в
центре компакт-диска. Обладая такими размерами, модуль способен
вместить данные 10 компакт-дисков емкостью 700 мегабайт каждый. Сконцентрировав
инвестиции в разработку и исследования флэш-памяти, Intel и Micron
получили возможность удваивать плотность NAND-чипов приблизительно
каждые 18 месяцев. Этот процесс ведет к постоянному уменьшению размеров
продукции, повышению ее емкости и снижению производственных затрат.
Сегодня, с переходом на 25-нм процесс, компании улучшают
производственный цикл и укрепляются на рынке в качестве инноваторов,
предлагая наименьший размер ячеек памяти в индустрии. В настоящее время
ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм
NAND-памяти. Серийное производство планируется во II квартале 2010 г.
|